供应商器件封装:
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
ZVP3306FTA Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 90M...
1 72 加入询价
BS250FTA Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 45V 90M...
1 2,000 加入询价
BSS225H6327FTSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 90M...
1 2,000 加入询价
BS250FTC Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 45V 90M...
1 2,000 加入询价
ZVP3306FTC Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 90M...
1 2,000 加入询价
BSS225 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 90M...
1 2,000 加入询价
BSS225L6327HTSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 90M...
1 2,000 加入询价
BSS225H6327XTSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 90M...
1 2,000 加入询价
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