- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- FET 功能：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 60V 200M... |
1 | 1,164 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200M... |
1 | 41,868 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 200M... |
1 | 45,253 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 200M... |
1 | 7,337 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 200M... |
1 | 12,925 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 60V 200M... |
1 | 17,403 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 200M... |
1 | 2,588 | 加入询价 | |
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PANJIT | 60V P-CHANNEL ENHA... |
1 | 3,800 | 加入询价 | |
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PANJIT | 60V N-CHANNEL ENHA... |
1 | 2,606 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SMALL SIGNAL MOS... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET N-CH 60V 200M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200M... |
1 | 9,783 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 200M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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PANJIT | 60V N-CHANNEL ENHA... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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TT Electronics / Optek Technology | MOSFET N-CH 60V 200M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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TT Electronics / Optek Technology | MOSFET N-CH 60V 200M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 200M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 200M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200M... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
