- 品牌：
-
- Diodes Incorporated (15)
- Nexperia (1)
- ON Semiconductor (8)
- EPC (1)
- PANJIT (1)
- YANGJIE (1)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
37 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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EPC | GANFET N-CH 80V 6.8A... |
1 | 85,387 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 6.8A... |
1 | 457,208 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 6.8A... |
1 | 248,770 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 6.8A... |
1 | 22,962 | 加入询价 | |
|
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Nexperia | MOSFET N-CH 20V 6.8A... |
1 | 15,743 | 加入询价 | |
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Micro Commercial Components (MCC) | N-CHANNEL MOSFET... |
1 | 2,488 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V~2... |
1 | 1,433 | 加入询价 | |
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Anbon Semiconductor | N-CHANNEL ENHANC... |
1 | 4,721 | 加入询价 | |
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PANJIT | 30V N-CHANNEL ENHA... |
1 | 2,874 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 6.8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 650V 6.8... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 6.8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 6.8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 6.8A TS... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 6.8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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|
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V~2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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|
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 6.8A TS... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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|
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
