- 封装/外壳:
-
- 供应商器件封装:
-
- 漏源电压(Vdss):
-
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
-
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 30V 5A ... |
1 | 112,904 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 5A... |
1 | 24,158 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 5A... |
1 | 12,335 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 5A... |
1 | 32,099 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | P60V,RD(MAX)<120M@-10V... |
1 | 17,712 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | P-60V,-5A,RD(MAX)<75M... |
1 | 2,475 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 5A... |
1 | 1,804 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 5A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 150V 5A... |
1 | 475 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | N100V, 5A,RD<130M@10V,V... |
1 | 1,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 150V 5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N-CH 700V 5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | N60V, 5A,RD<45M@10V,VT... |
1 | 6,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |