- 封装/外壳:
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
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- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
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图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 100A... |
1 | 9,453 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 60V 100A... |
1 | 5,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 60V 100A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 40V 100A... |
1 | 23 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | UMOS9 SOP-ADV(N) P... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | PB-F POWER MOSFET... |
1 | 2,000 | 加入询价 |