- 品牌：
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- Nexperia (1)
- ON Semiconductor (3)
- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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31 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 60V 2.8A... |
1 | 55,312 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 60V 2.8A... |
1 | 2,416 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWE... |
1 | 178 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V PO... |
1 | 1,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V PO... |
1 | 980 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 25A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 20V 5A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 100V 4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1200V 25A |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V SO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 30V 1.02... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 8-S... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V 2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V SO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 51A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
