- 品牌：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 60V 190M... |
1 | 59,134 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 60V 300M... |
1 | 164,809 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 60V 170M... |
1 | 100,957 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | AUTO AEC-Q LOW RD... |
1 | 321 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 60V 330M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 60V 190M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 60V 330M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 60V 550M... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
