- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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154 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Goford Semiconductor | P-80V,RD(MAX)<62M@-10V... |
1 | 681 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET, N-CH, 100V,6... |
1 | 359 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V,-195A,RD(MAX)<7.... |
1 | 772 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V, 110A,RD<7M@10V,V... |
1 | 797 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-150V,-60A,RD(MAX)<80... |
1 | 646 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N120V,RD(MAX)<10M@10V... |
1 | 798 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N650V,RD(MAX)<360M@10V... |
1 | 780 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V, 120A,RD<4.5M@10V... |
1 | 779 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V, 190A,RD<3.5M@10V... |
1 | 766 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P30V,RD(MAX)<130M@-4.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V, 5A,RD<45M@10V,VT... |
1 | 6,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V,RD(MAX)<8M@10V,R... |
1 | 96 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P15V,RD(MAX)<8.5M@-4.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N120V,RD(MAX)<10M@10V... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
