- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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154 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Goford Semiconductor | N100V, RD(MAX)<10.5M@1... |
1 | 3,975 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N20V,RD(MAX)<25M@4.5V... |
1 | 3,960 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<250M@10V... |
1 | 2,974 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<250M@10V... |
1 | 2,890 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P30V,RD(MAX)<26M@-4.5V... |
1 | 4,940 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-30V,-30A,RD(MAX)<16M... |
1 | 40 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V,-18A,RD(MAX)<70M... |
1 | 4,960 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V,-5A,RD(MAX)<75M... |
1 | 2,475 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<7M@10V,R... |
1 | 4,930 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P30V,RD(MAX)<20M@-10V... |
1 | 3,858 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-100V,-4A,RD(MAX)<200... |
1 | 1,930 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET, P-CH, 60V,6A... |
1 | 3,920 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P40V,RD(MAX)<18M@-10V... |
1 | 2,950 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P60V,RD(MAX)<18M@-10V... |
1 | 2,417 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P20V,RD(MAX)<9.5M@-4.5... |
1 | 4,896 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<110M@10V... |
1 | 2,473 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V, 33A,RD<13M@10V,V... |
1 | 4,980 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<7.5M@10V... |
1 | 15,596 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 30A... |
1 | 2,060 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V, 75A,RD<8M@10V,V... |
1 | 2,500 | 加入询价 |
