漏源电压(Vdss):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
TK110E10PL,S1X Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
X35 PB-F POWER MOS...
1 180 加入询价
STP46NF30 STMicroelectronics
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