- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Nexperia | MOSFET N-CH 55V 5.5A... |
1 | 67,902 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET N-CH 55V 12A... |
1 | 16,878 | 加入询价 | |
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Taiwan Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 6.5... |
1 | 13,161 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET N-CH 100V 1.5... |
1 | 2,880 | 加入询价 | |
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PANJIT | 60V N-CHANNEL ENHA... |
1 | 4,840 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET N-CH 240V 375... |
1 | 10,608 | 加入询价 | |
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PANJIT | 100V N-CHANNEL ENH... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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Micro Commercial Components (MCC) | N-CHANNEL MOSFET... |
1 | 9,967 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET N-CH 55V 7A ... |
1 | 43,417 | 加入询价 | |
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Micro Commercial Components (MCC) | N-CHANNEL MOSFET... |
1 | 4,965 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET N-CH 100V 1.1... |
1 | 1,777 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N200V, ESD,2A,RD<0.7@1... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V, 3A,RD<80M@10V,VT... |
1 | 2,478 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET, N-CH,100V, 2... |
1 | 2,400 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET N-CH 100V 4.6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Taiwan Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 17 | 加入询价 | |
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PANJIT | 60V N-CHANNEL ENHA... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 5A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Taiwan Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET N-CH 100V 7A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
