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晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
漏源电压(Vdss):
30 V
(2)
80 V
(1)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
1.1A(Ta)
(1)
3.2A(Ta)
(2)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
450 毫欧 @ 1.1A,10V
(1)
55 毫欧 @ 3.2A,10V
(1)
67 毫欧 @ 3.2A,10V
(1)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
2.5V @ 250µA
(1)
2.7V @ 250µA
(1)
2V @ 250µA
(1)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
11 nC @ 10 V
(1)
4.5 nC @ 10 V
(1)
6.3 nC @ 10 V
(1)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
130 pF @ 40 V
(1)
209 pF @ 15 V
(1)
295 pF @ 15 V
(1)
功率耗散(最大值):
400mW(Ta),6.25W(Tc)
(1)
400mW(Ta),8.33W(Tc)
(2)
已选条件:
单 FET,MOSFET
供应商器件封装 : DFN1010D-3
FET 类型 : N 通道
Vgs(最大值) : ±20V
3 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
PMXB360ENEAZ
Nexperia
MOSFET N-CH 80V 1.1A...
1
5,686
加入询价
PMXB65ENEZ
Nexperia
MOSFET N-CH 30V 3.2A...
1
8,645
加入询价
PMXB56ENZ
Nexperia
MOSFET N-CH 30V 3.2A...
1
4,990
加入询价
PMXB360ENEAZ
Nexperia
-
库存 : 5,686
询价
PMXB65ENEZ
Nexperia
-
库存 : 8,645
询价
PMXB56ENZ
Nexperia
-
库存 : 4,990
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