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分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
技术:
-
(1)
MOSFET(金属氧化物)
(1)
漏源电压(Vdss):
20 V
(1)
50 V
(1)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
350mA(Ta)
(1)
600mA(Tc)
(1)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
2.8 欧姆 @ 200mA,4.5V
(1)
620 毫欧 @ 600mA,4.5V
(1)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
900mV @ 250µA
(1)
950mV @ 250µA
(1)
Vgs(最大值):
-
(1)
±8V
(1)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
21.3 pF @ 10 V
(1)
29 pF @ 25 V
(1)
FET 功能:
-
(1)
标准
(1)
功率耗散(最大值):
2.7W(Tc)
(1)
350mW(Ta),2.8W(Tc)
(1)
已选条件:
单 FET,MOSFET
供应商器件封装 : SOT-883
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) : 0.7 nC @ 4.5 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) : -
2 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
PMZ600UNELYL
Nexperia
MOSFET N-CH 20V 600M...
1
124,322
加入询价
NX5008NBKMYL
Nexperia
MOSFET N-CH 50V 350M...
1
35,695
加入询价
PMZ600UNELYL
Nexperia
-
库存 : 124,322
询价
NX5008NBKMYL
Nexperia
-
库存 : 35,695
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