FET 类型:
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
SI2301BDS-T1-E3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2.2A...
1 154,887 加入询价
SI2301BDS-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2.2A...
1 40,539 加入询价
SI2314EDS-T1-E3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 20V 3.77...
1 110,023 加入询价
SI2301BDS-T1-BE3 Vishay / Siliconix
P-CHANNEL 2.5-V (G-S...
1 2,000 加入询价
SI2314EDS-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 20V 3.77...
1 2,000 加入询价
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