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分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
漏源电压(Vdss):
30 V
(1)
50 V
(1)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
180mA(Ta)
(1)
230mA(Ta)
(1)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
10V
(1)
2.5V,4.5V
(1)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
4.1 欧姆 @ 200mA,4.5V
(1)
7.5 欧姆 @ 100mA,10V
(1)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
1.1V @ 250µA
(1)
2.1V @ 250µA
(1)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
0.35 nC @ 5 V
(1)
0.72 nC @ 4.5 V
(1)
Vgs(最大值):
±20V
(1)
±8V
(1)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
36 pF @ 25 V
(1)
46 pF @ 15 V
(1)
已选条件:
单 FET,MOSFET
供应商器件封装 : TO-236AB
功率耗散(最大值) : 350mW(Ta),1.14W(Tc)
FET 类型 : P 通道
2 条记录
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型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
BSS84AK,215
Nexperia
MOSFET P-CH 50V 180M...
1
386,939
加入询价
NX3008PBK,215
Nexperia
MOSFET P-CH 30V 230M...
1
727
加入询价
BSS84AK,215
Nexperia
-
库存 : 386,939
询价
NX3008PBK,215
Nexperia
-
库存 : 727
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