漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
T2N7002BK,LM Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
MOSFET N-CH 60V 400M...
1 2,000 加入询价
BSN20-7 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 50V 500M...
1 2,000 加入询价
MMBF170-7-F Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 500M...
1 2,000 加入询价
MMBF170 ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 500M...
1 2,000 加入询价
BSN20Q-7 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 50V 500M...
1 2,000 加入询价
MMBF170Q-13-F Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 500M...
1 2,000 加入询价
BSN20-7-52 Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V~...
1 2,000 加入询价
MMBF170Q-7-F Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 500M...
1 2,000 加入询价
MMBF170-7 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 500M...
1 2,000 加入询价
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