- 品牌：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 4A ... |
1 | 12,353 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V~2... |
1 | 1,824 | 加入询价 | |
|
|
Goford Semiconductor | N30V,ESD 5.3A,RD<25M@... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET P CH 20V 4.3A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH DFN-3 |
1 | 2,000 | 加入询价 |
