- 品牌：
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- 工作温度：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Goford Semiconductor | N60V,RD(MAX)<22M@10V,... |
1 | 6,146 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N20V,RD(MAX)<25M@4.5V... |
1 | 3,960 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 7A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 12.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 13A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 8A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET N-CH 150V 5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
