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晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
520mA(Tc)
(1)
600mA(Ta)
(1)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
1.6 欧姆 @ 410mA,4.5V
(1)
1欧姆 @ 500mA,4,5V
(1)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
0.9 nC @ 4.5 V
(1)
1 nC @ 5 V
(1)
Vgs(最大值):
±10V
(1)
±8V
(1)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
33 pF @ 15 V
(1)
62.2 pF @ 15 V
(1)
功率耗散(最大值):
380mW(Ta),2.8W(Tc)
(1)
660mW(Ta),2,23W(Tc)
(1)
已选条件:
单 FET,MOSFET
供应商器件封装 : DFN0606-3
FET 类型 : P 通道
漏源电压(Vdss) : 30 V
2 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
PMH1200UPEH
Nexperia
MOSFET P-CH 30V 520M...
1
49,140
加入询价
PMH850UPEH
Nexperia
MOSFET P-CH 30V 600M...
1
4,289
加入询价
PMH1200UPEH
Nexperia
-
库存 : 49,140
询价
PMH850UPEH
Nexperia
-
库存 : 4,289
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