- 品牌:
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- 安装类型:
-
- 工作温度:
-
- 封装/外壳:
-
- 漏源电压(Vdss):
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
-
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
- Vgs(最大值):
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
-
- 功率耗散(最大值):
-
- 已选条件:
636 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 60V 2.8A... |
1 | 55,312 | 加入询价 | ||
EPC | GAN FET 40V .002OHM ... |
1 | 9,298 | 加入询价 | ||
EPC | TRANS GAN BUMPED... |
1 | 17,509 | 加入询价 | ||
EPC | TRANS GAN 150V .003O... |
1 | 8,262 | 加入询价 | ||
EPC | TRANS GAN 200V .005O... |
1 | 4,532 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 60V 2.8A... |
1 | 2,416 | 加入询价 | ||
EPC | TRANS GAN DIE 100V... |
1 | 10,400 | 加入询价 | ||
EPC | TRANS GAN 100V .0032O... |
1 | 25,947 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWE... |
1 | 178 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | TRENCH 6 30V NCH |
1 | 4,500 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | TRENCH 6 30V NCH |
1 | 5,000 | 加入询价 | ||
PANJIT | 100V/ 4.4MOHM/ EXCEL... |
1 | 6,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V |
1 | 4,792 | 加入询价 | ||
Littelfuse | MOSFET N-CH 600V 10A... |
1 | 800 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | TRENCH PG-TO220-3 |
1 | 1,000 | 加入询价 | ||
Littelfuse | DISCRETE MOSFET ... |
1 | 300 | 加入询价 | ||
Microchip Technology | PM-MOSFET-SIC-SBD... |
1 | 27 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | N-CHANNEL 100-V (D-S... |
1 | 2,990 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 250A... |
1 | 1,000 | 加入询价 | ||
Microchip Technology | MOSFET SIC 1200 V 36... |
1 | 237 | 加入询价 |