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晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
漏源电压(Vdss):
200 V
(1)
220 V
(1)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
7.3A(Tc)
(1)
8.8A(Tc)
(1)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
294 毫欧 @ 2.6A,10V
(1)
386 毫欧 @ 2.6A,10V
(1)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
13.2 nC @ 10 V
(1)
13.3 nC @ 10 V
(1)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
656 pF @ 30 V
(1)
657 pF @ 30 V
(1)
已选条件:
单 FET,MOSFET
供应商器件封装 : DFN3333-8
功率耗散(最大值) : 50W(Tc)
2 条记录
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型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
PML260SN,118
Nexperia
MOSFET N-CH 200V 8.8...
1
2,000
加入询价
PML340SN,118
Nexperia
MOSFET N-CH 220V 7.3...
1
2,000
加入询价
PML260SN,118
Nexperia
-
库存 : 2,000
询价
PML340SN,118
Nexperia
-
库存 : 2,000
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