- 品牌：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<7M@10V,R... |
1 | 4,315 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V,-23A,RD(MAX)<70M... |
1 | 650 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N200V, 9A,RD<0.28@10V,V... |
1 | 735 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 84A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
