- 品牌：
-
- Diodes Incorporated (11)
- Intersil（瑞萨电子公司） (2)
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
20 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Goford Semiconductor | N200V, 9A,RD<0.28@10V,V... |
1 | 735 | 加入询价 | |
|
|
Goford Semiconductor | N200V, 18A,RD<0.16@10V,V... |
1 | 150 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 450V 4.6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 700V 4.6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 700V 7A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Intersil（瑞萨电子公司） | MOSFET N-CH 600V 3A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 3.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 4.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 3.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Intersil（瑞萨电子公司） | MOSFET N-CH 600V 2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 600V 3A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 650V 2.8... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 650V 5.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 700V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET N-CH TO251 |
1 | 2,000 | 加入询价 |
