FET 类型:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
G50N03J Goford Semiconductor
N30V,RD(MAX)<7M@10V,R...
1 4,315 加入询价
G700P06J Goford Semiconductor
P-60V,-23A,RD(MAX)<70M...
1 650 加入询价
G630J Goford Semiconductor
N200V, 9A,RD<0.28@10V,V...
1 735 加入询价
18N20J Goford Semiconductor
N200V, 18A,RD<0.16@10V,V...
1 150 加入询价
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