- 品牌：
-
- Diodes Incorporated (46)
- Taiwan Semiconductor (18)
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 55V 80A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 11.8... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Taiwan Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Taiwan Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 12.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
