漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
SIS410DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 20V 35A...
1 19,100 加入询价
SQS850EN-T1_BE3 Vishay / Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S...
1 3,000 加入询价
SQS850EN-T1_GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 60V 12A...
1 2,262 加入询价
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