- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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90 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 21A... |
1 | 12,528 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 29A... |
1 | 10,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 25A... |
1 | 26,906 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 37A... |
1 | 29,776 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 33A... |
1 | 24,113 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 27A... |
1 | 38,243 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 23A... |
1 | 12,897 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 28A... |
1 | 19,393 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 19A... |
1 | 20,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A... |
1 | 15,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 5.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 32A... |
1 | 4,983 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 11.... |
1 | 4,076 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 18A... |
1 | 4,886 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 35A... |
1 | 3,443 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 14.6... |
1 | 648 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 7.2... |
1 | 50 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 8.6... |
1 | 23 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 8.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 8.8... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
