- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.2... |
1 | 13,810 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.2... |
1 | 7,980 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.8... |
1 | 5,018 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.8... |
1 | 4,663 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 980... |
1 | 661 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 680... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 1A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SMALL SIGNAL MOS... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SMALL SIGNAL MOS... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SMALL SIGNAL MOS... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 370... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 680... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 370... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 680... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
