FET 类型:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
DMN10H170SK3-13 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 12A...
1 281,133 加入询价
DMN10H170SK3Q-13 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 12A...
1 41,297 加入询价
DMN6040SK3-13 Diodes Incorporated
MOSFET N CH 60V 20A...
1 2,000 加入询价
DMP10H400SK3-13 Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 100V 9A...
1 2,000 加入询价
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