- 品牌：
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- Intersil（瑞萨电子公司） (20)
- Littelfuse (3)
- PANJIT (3)
- Transphorm (1)
- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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42 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Littelfuse | MOSFET N-CH 60V 220A... |
1 | 243 | 加入询价 | |
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Transphorm | 650 V 34 A GAN FET |
1 | 500 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | MOSFET N-CH 40V 90A... |
1 | 1,480 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | MOSFET N-CH 55V 110A... |
1 | 305 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | MOSFET N-CH 55V 110A... |
1 | 760 | 加入询价 | |
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PANJIT | 650V/ 390MOHM / 10A/ EA... |
1 | 800 | 加入询价 | |
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Littelfuse | MOSFET N-CH 650V 4A... |
1 | 35 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | MOSFET N-CH 40V 100A... |
1 | 800 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V,-195A,RD(MAX)<7.... |
1 | 772 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V, 110A,RD<7M@10V,V... |
1 | 797 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-150V,-60A,RD(MAX)<80... |
1 | 646 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N120V,RD(MAX)<10M@10V... |
1 | 798 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N650V,RD(MAX)<360M@10V... |
1 | 780 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V, 120A,RD<4.5M@10V... |
1 | 779 | 加入询价 | |
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PANJIT | 650V/ 390MOHM / 10A/ EA... |
1 | 796 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V, 190A,RD<3.5M@10V... |
1 | 766 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 100A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 100A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 100A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 100A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
