漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 950V 4A...
1 8,827 加入询价
IPD60R950C6ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4...
1 2,000 加入询价
IPD80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4.5...
1 2,000 加入询价
IPD65R950C6ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5...
1 2,000 加入询价
IPD60R950C6 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4...
1 2,000 加入询价
IPD60R1K0CEATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.3...
1 2,000 加入询价
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