漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
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IRLR7811WPBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A...
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IRLR3717PBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 120A...
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IRLR7811WCPBF Infineon Technologies
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IRLR7811WCTRRP Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A...
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IRLR7811WCTRLP Infineon Technologies
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