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晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
漏源电压(Vdss):
-
(1)
30 V
(2)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
300A(Ta)
(2)
330A(Ta)
(1)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
4.5V,10V
(2)
7V,10V
(1)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
0.82 毫欧 @ 25A,10V
(1)
0.87 毫欧 @ 25A,10V
(1)
700 毫欧 @ 25A,10V
(1)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
147 nC @ 10 V
(1)
149 nC @ 10 V
(1)
157 nC @ 10 V
(1)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
10131 pF @ 15 V
(1)
4852 pF @ 15 V
(1)
8117 pF @ 12 V
(1)
已选条件:
单 FET,MOSFET
供应商器件封装 : LFPAK56,Power-SO8
功率耗散(最大值) : 268W(Ta)
3 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
PSMNR60-25YLHX
Nexperia
MOSFET N-CH 25V 300A...
1
2,000
加入询价
PSMNR70-30YLHX
Nexperia
MOSFET N-CH 30V 300A...
1
2,000
加入询价
PSMNR82-30YLEX
Nexperia
PSMNR82-30YLE/SOT66...
1
2,000
加入询价
PSMNR60-25YLHX
Nexperia
-
库存 : 2,000
询价
PSMNR70-30YLHX
Nexperia
-
库存 : 2,000
询价
PSMNR82-30YLEX
Nexperia
-
库存 : 2,000
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