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晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
漏源电压(Vdss):
100 V
(1)
80 V
(1)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
120A(Ta)
(1)
170A(Ta)
(1)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
4.2 毫欧 @ 25A,10V
(1)
4.8 毫欧 @ 25A,10V
(1)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
110 nC @ 10 V
(1)
120 nC @ 10 V
(1)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
8000 pF @ 40 V
(1)
8290 pF @ 50 V
(1)
已选条件:
单 FET,MOSFET
供应商器件封装 : LFPAK56,Power-SO8
功率耗散(最大值) : 294W(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) : 10V
2 条记录
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型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
PSMN4R8-100YSEX
Nexperia
PSMN4R8-100YSE/SOT1...
1
2,000
加入询价
PSMN4R2-80YSEX
Nexperia
PSMN4R2-80YSE/SOT10...
1
2,000
加入询价
PSMN4R8-100YSEX
Nexperia
-
库存 : 2,000
询价
PSMN4R2-80YSEX
Nexperia
-
库存 : 2,000
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