- 封装/外壳：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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42 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 15A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 21A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V PW... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 550V 22.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 25A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | TRANS SJT N-CH 650V... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 19A... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 10A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 14A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 15A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 15A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 21A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 31A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 19.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 4.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 3.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
