- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 61A... |
1 | 2,400 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 63A... |
1 | 1,352 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 15 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 101... |
1 | 66 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 45A... |
1 | 90 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 63A... |
1 | 32 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 13A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 17A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 21A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 77A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 21A... |
1 | 4 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 24A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 32A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 32A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 45A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 950V 17.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 950V 74.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 8.7... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
