- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 48A... |
1 | 86 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 203... |
1 | 775 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 76A... |
1 | 1,148 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 60A... |
1 | 605 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 300V 50A... |
1 | 440 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 50A... |
1 | 777 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A... |
1 | 226 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 18A... |
1 | 240 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.... |
1 | 265 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 25A... |
1 | 240 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 53.... |
1 | 160 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 38A... |
1 | 240 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 33A... |
1 | 570 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N CH |
1 | 236 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 50A... |
1 | 238 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 83.... |
1 | 221 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 186... |
1 | 380 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N CH |
1 | 17 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 13.... |
1 | 83 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 35A... |
1 | 86 | 加入询价 |
