- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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12 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Microchip Technology | TRANS SJT 1700V TO2... |
1 | 187 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | SICFET N-CH 1200V 66... |
1 | 114 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET SIC 3300 V 40... |
1 | 337 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | TRANS SJT N-CH 1200... |
1 | 106 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | SICFET N-CH 1200V 37... |
1 | 105 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | TRANS SJT N-CH 700V... |
1 | 130 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | TRANS SJT N-CH 700V... |
1 | 20 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET SIC 1700V 35 ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET SIC 3300 V 80... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | TRANS SJT N-CH 700V... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET SIC 1200V 17 ... |
1 | 2 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET SIC 3300 V 25... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
