- 封装/外壳：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 4A... |
1 | 3,957 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 4A... |
1 | 982 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 4A... |
1 | 300 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 900V 4A... |
1 | 933 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1050V 4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 950V 4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
