- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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40 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 200A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 19A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 155... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 165A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 52A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 32A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 300A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 33A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 44A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 52A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 67A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 300... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 165A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 250A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET_(75V 120V( |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET_(75V 120V( PG... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET_(75V 120V( PG... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MV POWER MOS |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 300A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 300A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
