- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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151 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 1,274 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 9A... |
1 | 19,988 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | CONSUMER PG-TO220-... |
1 | 2,953 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 25A... |
1 | 3,912 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20.... |
1 | 492 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 43A... |
1 | 2,018 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 6A... |
1 | 1,026 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 332 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 16.... |
1 | 109 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 23.... |
1 | 463 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37A... |
1 | 427 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 79A... |
1 | 500 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 75A... |
1 | 498 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 6A... |
1 | 253 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 6A... |
1 | 948 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 11.... |
1 | 462 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 12A... |
1 | 68 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO... |
1 | 480 | 加入询价 |
