- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 120A... |
1 | 8,225 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 120... |
1 | 8,790 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 80A... |
1 | 4,990 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 58A... |
1 | 8,002 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 120A... |
1 | 2,810 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 120... |
1 | 1,827 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 120A... |
1 | 1,545 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V PG-T... |
1 | 800 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V PG-T... |
1 | 800 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH <= 40V |
1 | 790 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V PG-T... |
1 | 800 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 25A... |
1 | 1,990 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 80A... |
1 | 1,884 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 100A... |
1 | 181 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V PG-T... |
1 | 422 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH >=100V |
1 | 210 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V PG-T... |
1 | 800 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH <= 40V |
1 | 800 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH <= 40V |
1 | 800 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V |
1 | 800 | 加入询价 |
