- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
-
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
-
- 功率耗散(最大值):
-
44 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 192... |
1 | 5,542 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 97A... |
1 | 7,514 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 120... |
1 | 8,790 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 58A... |
1 | 8,002 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 120... |
1 | 1,827 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 61A... |
1 | 4,700 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 88A... |
1 | 3,199 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 103... |
1 | 430 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | TRENCH >=100V |
1 | 210 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | TRENCH >=100V PG-TO... |
1 | 875 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | TRENCH >=100V |
1 | 762 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | TRENCH >=100V PG-TO... |
1 | 980 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 120... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 120... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 35A... |
1 | 1,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 120... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | AUTOMOTIVE MOSFE... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 120... |
1 | 2,000 | 加入询价 |