- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20.... |
1 | 20,037 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 34A... |
1 | 4,354 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20.... |
1 | 4,636 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 25A... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 88A... |
1 | 2,200 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 56A... |
1 | 11,351 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 13.... |
1 | 3,490 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 16A... |
1 | 690 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 24A... |
1 | 508 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 24.... |
1 | 189 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 35A... |
1 | 707 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 88A... |
1 | 3,946 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 300V 44A... |
1 | 267 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A... |
1 | 3,438 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 135V 129... |
1 | 2,943 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N CH |
1 | 500 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 13A... |
1 | 455 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 100A... |
1 | 1,460 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.... |
1 | 234 | 加入询价 |
