- 封装/外壳:
-
- FET 类型:
-
- 漏源电压(Vdss):
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
-
- 功率耗散(最大值):
-
195 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 61A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 64A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 46A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 6A... |
1 | 6,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 18A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 26A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 22.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 18.7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 9A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 100... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 14A... |
1 | 7 | 加入询价 |