- 封装/外壳：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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195 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N CH |
1 | 187 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 37A... |
1 | 486 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 84A... |
1 | 1,924 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 182 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 9A... |
1 | 500 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 33A... |
1 | 1,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 23.... |
1 | 469 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 489 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 493 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A... |
1 | 52 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 120... |
1 | 25 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 6A... |
1 | 453 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 7A... |
1 | 563 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 75A... |
1 | 138 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 24A... |
1 | 54 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 4A... |
1 | 143 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 13A... |
1 | 39 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 21A... |
1 | 28 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 53A... |
1 | 124 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
