- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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44 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100... |
1 | 2,237 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A... |
1 | 4,556 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH >=100V |
1 | 1,904 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH >=100V |
1 | 435 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH >=100V |
1 | 543 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 53A... |
1 | 124 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 69A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 43A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 15A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 73A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 120... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 120... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 58A... |
1 | 1 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH >=100V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH >=100V PG-TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 53A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MV POWER MOS |
1 | 2,000 | 加入询价 |
