- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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276 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 11A... |
1 | 171 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 80A... |
1 | 4,141 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 17A... |
1 | 996 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 120A... |
1 | 2,144 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_LEGAC... |
1 | 400 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 25A... |
1 | 1,893 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 40V 120A... |
1 | 274 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 100... |
1 | 1,969 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 21A... |
1 | 500 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 13A... |
1 | 388 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20A... |
1 | 567 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 23A... |
1 | 494 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | 650V FET COOLMOS T... |
1 | 500 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 23A... |
1 | 834 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 80A... |
1 | 6,688 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 80A... |
1 | 488 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 15A... |
1 | 500 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A... |
1 | 589 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100... |
1 | 165 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A... |
1 | 279 | 加入询价 |
