- 品牌：
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- 工作温度：
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- 技术：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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501 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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GeneSiC Semiconductor | SIC MOSFET N-CH 11... |
1 | 14,208 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | SIC MOSFET N-CH 4A... |
1 | 6,437 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | SIC MOSFET N-CH 22... |
1 | 1,508 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 127 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 158... |
1 | 31,296 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | SICFET N-CH 1700V 7.... |
1 | 18,232 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 52A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 35A... |
1 | 1,730 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | SIC MOSFET N-CH 41... |
1 | 3,755 | 加入询价 | |
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SemiQ | SIC MOSFET 1200V 80M... |
1 | 662 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | SIC MOSFET N-CH 21... |
1 | 1,378 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 54A... |
1 | 4,302 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | SICFET N-CH 1200V 33... |
1 | 18,372 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | SICFET N-CH 1200V 33... |
1 | 6,551 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | SICFET N-CH 750V 81A... |
1 | 8,659 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 85A... |
1 | 4,463 | 加入询价 | |
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Transphorm | GANFET N-CH 650V 46.... |
1 | 910 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 60... |
1 | 1,000 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | SICFET N-CH 1200V 65... |
1 | 877 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | SIC MOSFET N-CH 61... |
1 | 635 | 加入询价 |
