单 FET，MOSFET - 广鸿发科技

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：

功率耗散（最大值）：

已选条件：

2 条记录

图片	型号	品牌	描述	起订量	库存	操作
	GP2T080A120U	SemiQ	SIC MOSFET 1200V 80M...	1	662	加入询价
	GP2T040A120U	SemiQ	SIC MOSFET 1200V 40M...	1	30	加入询价

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